掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統具有高安全性!

更新時(shí)間:2024-04-26      點(diǎn)擊次數:515
  掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統通過(guò)MEMS芯片對液體薄層或納米電池系統施加電信號等,結合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監測電極、電解液及其界面在工況下的微觀(guān)結構演化、反應動(dòng)力學(xué)、相變、元素價(jià)態(tài)、化學(xué)變化、微觀(guān)應力以及表/界面處的原子級結構和成分演化等關(guān)鍵信息。
  本公司提供的掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統有高安全性:
  1.市面常見(jiàn)的其他品牌液體樣品桿,由于受自身液體池芯片設計方案制約,只能通過(guò)液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動(dòng)大流量液體流經(jīng)樣品臺及芯片外圍區域,有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴散效應進(jìn)入芯片中間的納米孔道,芯片觀(guān)察窗里并無(wú)真實(shí)流量流速控制。
  2.采用納流控技術(shù),通過(guò)壓電微控系統進(jìn)行流體微分控制,實(shí)現納升級微量流體輸送,原位納流控系統及樣品桿中冗余的液體量?jì)H有微升級別,有效保證電鏡安全。
  3.采用高分子膜面接觸密封技術(shù),相比于O圈密封,增大了密封接觸面積,有效減小滲漏風(fēng)險。
  4.采用超高溫鍍膜技術(shù),芯片視窗區域的氮化硅膜具有耐高溫低應力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。
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