透射電鏡氣體高溫原位系統

簡(jiǎn)要描述:透射電鏡氣體高溫原位系統通過(guò)MEMS芯片對樣品施加熱場(chǎng)控制,結合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監測樣品在氣體環(huán)境下隨溫度變化產(chǎn)生的微觀(guān)結構演化、反應動(dòng)力學(xué)、相變、元素價(jià)態(tài)、化學(xué)變化、微觀(guān)應力以及表/界面處的原子級結構和成分演化等關(guān)鍵信息。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2023-12-27
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量: 3766

詳細介紹

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我們的優(yōu)勢

氣氛環(huán)境高分辨率

1.MEMS加工工藝,芯片視窗區域的氮化硅膜厚度最薄可達10 nm。

2.芯片封裝采用鍵合內封以及環(huán)氧樹(shù)脂外封雙保險方式,使芯片間的夾層最薄僅約100~200 nm,超薄夾層大幅減少對電子束的干擾,可清晰觀(guān)察樣品的原子排列情況,氣相環(huán)境可達到皮米級分辨率。


高安全性

1.采用納流控技術(shù),通過(guò)壓電微控系統進(jìn)行流體微分控制,實(shí)現納升級微量流體輸送,控制精度為5 nL/s,每次氣體推送過(guò)程中,原位納流控系統及樣品桿中冗余的氣體量?jì)H有微升級別,有效保證電鏡安全。

2.采用高分子膜面接觸密封技術(shù),相比于o圈密封,增大了密封接觸面積,有效減小滲漏風(fēng)險。

3.采用超高溫鍍膜技術(shù),芯片視窗區域的氮化硅膜具有耐高溫低應力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。


優(yōu)異的熱學(xué)性能

1.高精密紅外測溫校正,微米級高分辨熱場(chǎng)測量及校準,確保溫度的準確性。

2.超高頻控溫方式,排除導線(xiàn)和接觸電阻的影響,測量溫度和電學(xué)參數更精確。

3.采用高穩定性貴金屬加熱絲(非陶瓷材料),既是熱導材料又是熱敏材料,其電阻與溫度有良好的線(xiàn)性關(guān)系,加熱區覆蓋整個(gè)觀(guān)測區域,升溫降溫速度快,熱場(chǎng)穩定且均勻,穩定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.01℃。

4.采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式,高頻反饋控制消除誤差,控溫精度±0.01 ℃。

5.多級復合加熱MEMS芯片設計,控制加熱過(guò)程熱擴散,極大抑制升溫過(guò)程的熱漂移,確保實(shí)驗的高效觀(guān)察。


多場(chǎng)耦合技術(shù)

可在氣相環(huán)境中實(shí)現光、電、熱、流體多場(chǎng)耦合。


智能化軟件和自動(dòng)化設備

1.人機分離,軟件遠程控制氣體條件,全程自動(dòng)記錄實(shí)驗細節數據,便于總結與回顧。

2.自定義程序升溫曲線(xiàn)??啥x10步以上升溫程序、恒溫時(shí)間等,同時(shí)可手動(dòng)控制目標溫度及時(shí)間,在程序升溫過(guò)程中發(fā)現需要變溫及恒溫,可即時(shí)調整實(shí)驗方案,提升實(shí)驗效率。

3.內置絕對溫標校準程序,每塊芯片每次控溫都能根據電阻值變化,重新進(jìn)行曲線(xiàn)擬合和校正,確保測量溫度精確性,保證高溫實(shí)驗的重現性及可靠性。

4.全流程配備精密自動(dòng)化設備,協(xié)助人工操作,提高實(shí)驗效率。



技術(shù)參數

類(lèi)別項目參數
基本參數桿體材質(zhì)高強度鈦合金
視窗膜厚20nm,可升級10nm
氣體夾層100~2000nm(可自行組裝調整厚度)
分辨率原子晶格分辨
適用電鏡Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi
適用極靴ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP,FHP,WGP
(HR)TEM/STEM支持
(HR)EDS/EELS/SAED支持













應用案例


氣體加熱案例.png

Morphology changes of a few selected PbSe nanocrystals when partially exposed to air. Sequential TEM images showing the morphology changes of (a) single, (b) two, and (c) three PbSe nanocrystals when partially exposed to air. (d) The projected area of the

selected nanocrystals versus time shown in (a). (e) Schematics highlight the morphological evolution of PbSe nanocrystals

observed in (a)?(c). All PbSe nanocrystals eventually form thin films by solid-state fusion. Scale bar: 20 nm


氣體加熱案例2.png

PbSe nanocrystals after baking at 200 °C in air. (a) Low and (b) high magnification TEM images of PbSe nanocrystals after baking in air at 200 ° C for 2 h. The inset is the FFT pattern of the selected area in (b) showing the existence of small PbSe nanocrystals. (c) Low and (d) high magnification TEM images of PbSe nanocrystals after baking in air at 200 ° C for 12 h. The inset is the FFT pattern of the selected area in (d) indicating the amorphous structure. (e) STEM image and EDS elemental maps of PbSe nanocrystals after baking in air at 200 ° C for 12 h. Scale bars for images (a), (c), and (e) are 20 nm. Scale bars for images (b) and (d) are 2 nm























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