透射電鏡三維重構樣品桿

簡(jiǎn)要描述:透射電鏡三維重構樣品桿通過(guò)一系列的不同傾斜角獲得樣品的二維成像信息,并對其進(jìn)行處理轉化為三維信息,該樣品臺可直接組裝直徑3 mm的銅網(wǎng)樣品,不僅可進(jìn)行樣品的三維重構,還可用于樣品材料的掃描透射模式下高角環(huán)形暗場(chǎng)成像(HAADF-STEM)的高分辨分析。

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  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2023-12-27
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詳細介紹

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CHIPNOVA Single-tilt Tomography Holders(三維重構樣品桿)通過(guò)一系列不同傾斜角獲得樣品的二維平面成像信息,使用軟件處理后可獲得三維立體成像信息。直接使用3mm銅網(wǎng)樣品進(jìn)行觀(guān)察,支持掃描透射模式下的高角環(huán)形暗場(chǎng)成像(HAADF-STEM)高分辨分析。



我們的優(yōu)勢

創(chuàng )新設計,提高實(shí)驗效率

1.雙邊緊固銅網(wǎng)方式,漂移率低,樣品易組裝。

2.中心對稱(chēng)設計,避免樣品桿傾斜過(guò)程中重心偏移,提供迅速穩定的層析成像。


優(yōu)異性能,Excellent體驗

1.大于±75°的高傾斜角,保證視野zui da hua。

2.高強度鈦合金材質(zhì),高精度加工,經(jīng)久耐用。



技術(shù)參數

類(lèi)別項目參數
基本參數桿體材質(zhì)
高強度鈦合金
漂移率<0.5 nm/min(穩定狀態(tài))
分辨率電鏡極限分辨率
(HR)TEM/STEM支持
(HR)EDS/EELS/SAED支持










應用案例

電子斷層掃描對納米尺度地質(zhì)材料的三維分析

參考文獻來(lái)源:Three-dimensional Analyses of Geological Materials on Nanoscale by Electron Tomography[J]. Atomic Spectroscopy, 2022.

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ET示意圖。不同傾斜角度下的一系列TEM圖像的獲取(a)和從獲得的傾斜系列中重建樣本的3D結構(b)。



圖片1.png

(a)使用FIB制備的黃鐵礦柱狀樣品的HAADF-STEM圖和(b)STEM-EDS圖;以及從-63°到+70°以0.5°間隔獲得的不同傾斜角的3D重建結果(c-f)。


圖片2.png

(a-d)分別是在-44°、0°、+44°和+66°處獲取的原始HAADF-STEM傾斜角度圖像;(e-g)是從-44°到+66°以2°間隔獲得重建的3D模型圖。


圖片3.png

獲取EELS譜圖用于3D視圖的元素和氧化態(tài)的重建模型













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